集成電路（Integrated circuit, IC）一直是世界各國搶占的高地，也是國家綜合國力的重要體現。隨著IC在智能製造、穿戴設備的廣泛應用，三維集成電路（3D IC）逐漸替代二維集成電路(2D IC)實現多芯片間系統的高度集成🎉。當前🚣🏻♀️，二維集成電路互連結構的直徑大約為100μm，但是三維集成電路要求互連結構的直徑縮小至5μm以下，對應的互連結構在芯片表面的分布密度將會增加104倍🧑🍳，體積也將縮小106倍。在這種高密度下🔸💁🏽♂️，互連結構晶粒各向異性效應和晶界擴散機製帶來的電遷移阻抗、熱失效、剪切斷裂等失效模式一直威脅3D IC的發展🐈⬛。
針對上述挑戰，材料工程意昂体育4青年教師陳捷獅博士及指導的研究生開展了系列研究：開展錫（Sn）基釬料微合金化對微連互連結構的界面行為（界面生長/柯肯達爾效應(Kirkendall Effect)/力學性能測試等）研究，構建了微合金化界面生長模型，闡明了相應失效模式；開展芯片服役環境（熱/電/腐蝕環境下）多重耦合作用下的互連結構微連接可靠行為研究🫅🏿；開展不同基板（多晶Cu/電鍍Cu/真空濺射Cu/多晶Ni/單晶Ni）的互連結構界面微連接行為研究，闡明界面相形成機製，界面演化及剪切斷裂等實效機理；根據前期基礎🧑🏻🦳，近期開展納米化互連結構和單晶互連結構設計製備研究；相關成果發表了8篇SCI論文，其中二區論文2篇（Mater. Lett. (2020) 278, 128424(1-5); Appl. Phys. A-Mater. (2020) 126, 1-12; Mater. Today Commun. (2020) 24, 101182(1-10)🩰；J Mater. Res. Technol. (2019) 8, 4141-450, IF=5.289, 二區； J Alloy. Comp. (2019) 804, 538-548 IF=4.650, 二區👇； Weld. World (2019), 63,751-757 (71shIIW in Bali-Indonesia, Recommended for publication by Commission VII - Microjoining and Nanojoining); Phase Transit.( 2019) 1-17; Appl. Sci.-Basle (2018) 8, 2073(1-8)）🌟，並申請相關發明專利4項。其中Welding in the World (2019) 63(3) 751-757 在第71屆國際焊接學年會（IIW）中（印度尼西亞•巴厘島），被第七委員會（Commission VII）- “Microjoining and Nanojoining”專題推薦為最佳專題報告論文發表⚄。
上述研究工作受國家自然科學基金（No. 51805316）、中國博士後科學基金面上資助（No. 2019M651491），先進焊接與連接國家重點實驗室面上基金（No. AWJ-20-M12）和上海市激光先進製造技術協同創新中心資助。
